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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 36V 1W DO-41

1N3033B-1 技術(shù)參數(shù)

1N3032BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 33V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3032B-1 功能描述:DIODE ZENER 33V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3031BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3031B-1 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3030BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3038B-1 1N3038BUR-1 1N3039B-1 1N3039BUR-1 1N3040B-1 1N3040BUR-1 1N3041B-1 1N3041BUR-1 1N3042B-1 1N3042BUR-1 1N3043B-1 1N3043BUR-1 1N3044B-1 1N3044BUR-1 1N3045B-1 1N3045BUR-1 1N3046BUR-1 1N3064

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