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1N3671AR

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1N3671AR
深圳市引芯科技發展有限公司
深圳市引芯科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：林小姐
電話：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田區福華路世貿廣場C座1106/香港辦事處:香港大理石
427
GeneSiC Semiconductor
標準封裝
25+
-
真實的資源竭誠服務您！

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功能描述
整流器 800V 12A REV Leads Std. Recovery
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N3671AR 技術參數

1N3671A 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 12A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N3671 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N3647 功能描述:DIODE GEN PURP 3KV 600MA AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:3000V 電流 - 平均整流（Io）:600mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:5V @ 250mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3000V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3646 功能描述:DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1750V（1.75kV）電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:5V @ 250mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1750V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:S，軸向供應商器件封裝:S，軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3645 功能描述:DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1400V（1.4kV）電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:5V @ 250mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:S，軸向供應商器件封裝:S，軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3765R 1N3766 1N3766R 1N3767 1N3767R 1N3768 1N3768R 1N3821 1N3821A-1 1N3821AUR-1 1N3822A-1 1N3822AUR-1 1N3823A-1 1N3823AUR-1 1N3824A-1 1N3824AUR-1 1N3825A-1 1N3825AUR-1