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1N4729CP/TR8

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
1.0W, VZ = 3.6V, ? 2% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 1.0W 3.6V 2% DO41

1N4729CP/TR8 技術(shù)參數(shù)

1N4729CP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N4729CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4729AUR 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4729A-TR 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4729ATR 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N4730 G 1N4730A 1N4730A G 1N4730A TR 1N4730A,113 1N4730A,133 1N4730A_S00Z 1N4730A_T50A 1N4730A_T50R 1N4730AE3/TR13 1N4730AP/TR12 1N4730AP/TR8 1N4730APE3/TR12 1N4730APE3/TR8 1N4730A-T 1N4730A-T50A 1N4730ATA 1N4730A-TAP

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