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1N4756AP/TR12

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
1.0W, VZ = 47V, ? 5% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 1.0W 47V 5% DO41

1N4756AP/TR12 技術(shù)參數(shù)

1N4756AHR1G 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 1N4756AHR0G 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 1N4756AHB0G 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,000 1N4756AHA0G 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:3,000 1N4756AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 1N4756CE3/TR13 1N4756CP/TR12 1N4756CP/TR8 1N4756CPE3/TR12 1N4756CPE3/TR8 1N4756E3/TR13 1N4756G A0G 1N4756G R0G 1N4756P/TR12 1N4756P/TR8 1N4756PE3/TR12 1N4756PE3/TR8 1N4757 G 1N4757A 1N4757A A0G 1N4757A B0G 1N4757A BK 1N4757A G

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