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1N4760CE3/TR13

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
1.0W, VZ = 68V, ? 2% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 1.0W 68V 2% DO41

1N4760CE3/TR13 技術(shù)參數(shù)

1N4760AUR 功能描述:DIODE ZENER 68V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 51.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4760A-TR 功能描述:DIODE ZENER 68V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 51.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4760A-TP 功能描述:DIODE ZENER 68V 1W DO41G 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 51.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41G 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4760A-TAP 功能描述:DIODE ZENER 68V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 51.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4760ATA 功能描述:DIODE ZENER 68V 1W DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 51.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4761 G 1N4761A A0G 1N4761A B0G 1N4761A BK 1N4761A G 1N4761A R0G 1N4761A R1G 1N4761A TR 1N4761AE3/TR13 1N4761AG 1N4761AHA0G 1N4761AHB0G 1N4761AHR0G 1N4761AHR1G 1N4761AP/TR12 1N4761AP/TR8 1N4761APE3/TR12 1N4761APE3/TR8

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