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1N485B_T50R

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說明
操作

1N485B_T50R
深圳市引芯科技發展有限公司
深圳市引芯科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：林小姐
電話：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田區福華路世貿廣場C座1106/香港辦事處:香港大理石
256
Fairchild Semiconductor
標準封裝
25+
-
真實的資源竭誠服務您！

1/1頁 40條/頁共4條
1

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功能描述
整流器 General Purpose Low Leakage
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N485B_T50R 技術參數

1N485B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N485A 功能描述:DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:180V 電流 - 平均整流（Io）:100mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 180V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應商器件封裝:DO-7 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N485 功能描述:DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:180V 電流 - 平均整流（Io）:100mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 180V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應商器件封裝:DO-7 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N484B 功能描述:DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 125V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N483BUR 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 50MA DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 電流 - 平均整流（Io）:50mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 225V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4890A 1N4891 1N4891A 1N4892 1N4892A 1N4893 1N4893A 1N4894 1N4894A 1N4895 1N4895A 1N4896 1N4896A 1N4897 1N4897A 1N4898 1N4898A 1N4899