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1N5241C-TP

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功能描述
DIODE ZENER 500MW 11V DO35 2%
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 單二極管/齊納
系列
-
標準包裝
1
系列
-
電壓 - 齊納（標稱）(Vz)
36V
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
900mV @ 10mA
電流 - 在 Vr 時反向漏電
100nA @ 27V
容差
±5%
功率 - 最大
200mW
阻抗（最大）(Zzt)
70 歐姆
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商設備封裝
SOT-323
包裝
剪切帶 (CT)
工作溫度
-65°C ~ 150°C
產品目錄頁面
1585 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

1N5241C-TP 技術參數

1N5241C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5241BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5241B-TR 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5241BTR 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5241B-TP 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5242B_T50A 1N5242B_T50R 1N5242BDO35 1N5242BDO35E3 1N5242B-T 1N5242BTA 1N5242B-TAP 1N5242B-TP 1N5242BTR 1N5242B-TR 1N5242BUR-1 1N5242C-TAP 1N5242C-TR 1N5242TA 1N5243A 1N5243A (DO-35) 1N5243B 1N5243B (DO-35)