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1N5257TA

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功能描述
DIODE ZENER 33V 500MW DO35
制造商
smc diode solutions
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
33V
容差
-
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
58 歐姆
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
100nA @ 25V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
1.1V @ 200mA
工作溫度
200°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
標準包裝
5,000

1N5257TA 技術參數

1N5257C-TR 功能描述:DIODE ZENER 3.8A 33V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5257C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 3.8A 33V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5257BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5257B-TR 功能描述:DIODE ZENER 3.8A 33V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5257BTR 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5258B-T 1N5258BTA 1N5258B-TAP 1N5258B-TP 1N5258B-TR 1N5258BUR-1 1N5258C-TAP 1N5258C-TR 1N5258TA 1N5259A 1N5259A (DO-35) 1N5259B 1N5259B (DO-35) 1N5259B A0G 1N5259B BK 1N5259B TR 1N5259B_T50A 1N5259B_T50R