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1N5265B-TP

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功能描述
穩壓二極管 500mW 62V
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N5265B-TP 技術參數

1N5265B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 2A 62V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:185 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 47V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5265B-T 功能描述:DIODE ZENER 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:生命周期結束電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1400 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 47V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5265BDO35E3 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:185 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 47V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5265BDO35 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:185 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 47V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5265B TR 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:185 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 47V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5266B BK 1N5266B TR 1N5266BDO35 1N5266B-T 1N5266B-TAP 1N5266B-TP 1N5266B-TR 1N5266BUR-1 1N5266C-TAP 1N5266C-TR 1N5267 1N5267A 1N5267A (DO-35) 1N5267B 1N5267B (DO-35) 1N5267B BK 1N5267B TR 1N5267BDO35