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1N5274B-TP

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功能描述
DIODE ZENER 500MW 130V DO-35
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納
系列
-
標準包裝
1
系列
-
電壓 - 齊納（標稱）(Vz)
36V
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
900mV @ 10mA
電流 - 在 Vr 時反向漏電
100nA @ 27V
容差
±5%
功率 - 最大
200mW
阻抗（最大）(Zzt)
70 歐姆
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-323
包裝
剪切帶 (CT)
工作溫度
-65°C ~ 150°C
產(chǎn)品目錄頁面
1585 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

1N5274B-TP 技術(shù)參數(shù)

1N5274BDO35E3 功能描述:DIODE ZENER 130V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:130V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 99V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5274BDO35 功能描述:DIODE ZENER 130V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:130V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 99V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5274B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 130V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:130V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 99V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5274A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 130V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:130V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 94V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5274A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5276B (DO-35) 1N5276BDO35 1N5276B-TP 1N5276BUR-1 1N5277A (DO-35) 1N5277A(DO-35)TR 1N5277B (DO-35) 1N5277BUR-1 1N5278A 1N5278A (DO-35) 1N5278B (DO-35) 1N5278BDO35TR 1N5278BUR-1 1N5279A 1N5279A (DO-35) 1N5279B 1N5279B (DO-35) 1N5279B TR

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