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1N5519B

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1N5519BUR-1JANTX
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15
MSC
2007/2008
-
公司現(xiàn)貨,只做原裝！

1N5519BUR-1JANTX
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15
MSC
2007/2008
-
公司現(xiàn)貨,只做原裝！

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

1N5519B 技術(shù)參數(shù)

1N5518BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5518B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5518B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5420US 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5420 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5522B (DO35) 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1 1N5524B 1N5524B (DO35) 1N5525B 1N5525B (DO35) 1N5525B-1 1N5526B (DO35) 1N5526BUR-1 1N5527B 1N5527B (DO35) 1N5527BUR-1 1N5528B 1N5528B (DO35) 1N5528BUR-1 1N5529B

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