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功能描述
DIODE ZENER 11V 500MW DO35
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
11V
容差
±1%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
20 歐姆
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
100nA @ 8V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
900mV @ 10mA
工作溫度
-65°C ~ 175°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應(yīng)商器件封裝
DO-35
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

1N5737C 技術(shù)參數(shù)

1N5737B 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5736D 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5736C 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5736B 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5735D 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5740D 1N5741B 1N5741C 1N5741D 1N5742B 1N5742C 1N5742D 1N5743B 1N5743C 1N5743D 1N5744B 1N5744C 1N5744D 1N5745B 1N5745C 1N5745D 1N5746B 1N5746C

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