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1N6005UR

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功能描述
Zener Diode
制造商
microsemi corporation
系列
*
零件狀態(tài)
在售
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

1N6005UR 技術(shù)參數(shù)

1N6005D 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:16V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:36 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6005C 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:16V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:36 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6005B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:36 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N6005B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:36 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6005B 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:36 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6006D 1N6006UR 1N6006UR-1 1N6007A 1N6007B 1N6007B_T50A 1N6007B_T50R 1N6007B-TP 1N6007C 1N6007D 1N6007UR 1N6007UR-1 1N6008A 1N6008B 1N6008B_T50A 1N6008B_T50R 1N6008C 1N6008D

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