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2N4091UB

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2N4091UB
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
3-SMD
23+
-
微芯專營優勢產品

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功能描述
N CHANNEL JFET
制造商
microsemi ire division
系列
*
零件狀態
在售
標準包裝
1

2N4091UB 技術參數

2N4091 功能描述:JFET N-Channel 40V 30mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/431 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:30mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:16pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:30 歐姆功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 2N4058 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N4037 功能描述:TRANS PNP 40V 1A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:250nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N4036 W/GOLD 功能描述:TRANS PNP 65V 1A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態:生命周期結束標準包裝:500 2N4036 功能描述:TRANS PNP 65V 1A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N4118A-E3 2N4119A 2N4119A-2 2N4119A-E3 2N4123 2N4123BU 2N4123RLRM 2N4123TA 2N4123TAR 2N4123TF 2N4123TFR 2N4124 2N4124_J18Z 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR