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2N5660

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數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

2N5660
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NSC
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

2N5660
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-66
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

2N5660
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
50008
YXYBDT臺灣
TO-66
2025+
-
代理臺灣YXYBDT.現(xiàn)貨

2N5660
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-213AA
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS GP BJT NPN 200V 2A 3PIN TO-66 - Bulk

2N5660 技術(shù)參數(shù)

2N5657G 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-225AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N5657 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-32-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2N5655G 功能描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10mV 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-225AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N5655 功能描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10mV 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-225AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N5639RLRAG 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）電阻 - RDS（開）:60 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2N5681 2N5682 2N5683 2N5684 2N5684G 2N5685 2N5686 2N5686G 2N5769 2N5770 2N5770_D26Z 2N5770_D27Z 2N5770_D74Z 2N5770_D75Z 2N5771 2N5771_D26Z 2N5771_D27Z 2N5771_D74Z

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配單專線：0755-83353220

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