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2SC4227-T1-R34-A

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功能描述
SAME AS NE68130 NPN SILICON AMPL
制造商
cel
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
新產品
晶體管類型
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
10V
頻率 - 躍遷
7GHz
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）
1.4dB @ 1GHz
增益
12dB
功率 - 最大值
150mW
不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
40 @ 7mA，3V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
65mA
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商器件封裝
SOT-323
標準包裝
3,000

2SC4227-T1-R34-A 技術參數

2SC4227-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2SC4227-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 標準包裝:1 2SC4226-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:4.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2SC4226-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:4.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3 標準包裝:1 2SC4215-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 30V 550MHZ USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:550MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2dB ~ 5dB @ 100MHz 增益:17dB ~ 23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC43910RA 2SC441000L 2SC4420 2SC4445 2SC4466 2SC4467 2SC4468 2SC4482T-AN 2SC4482U-AN 2SC4486S-AN 2SC4486T-AN 2SC4487S-AN 2SC4487T-AN 2SC4488S-AN 2SC4488T-AN 2SC4489S-AN 2SC4489T-AN 2SC4495