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2SC5439(F)

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功能描述
兩極晶體管 - BJT NPN 450V 8A Transistor
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2SC5439(F) 技術參數

2SC54190RA 功能描述:TRANS NPN 300V 0.07A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-2-A1 標準包裝:1 2SC5415AF-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPO 0.1A 12V 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:800mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 30mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SC5415AE-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:800mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 30mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SC5414AF-AA 功能描述:TRANS NPN 0.1A 12V 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:3-NP 標準包裝:1,500 2SC5414AF 功能描述:TRANS NPN 0.1A 12V 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:3-NP 標準包裝:500 2SC5508-A 2SC5508-T2-A 2SC5509-A 2SC5509-T2-A 2SC5536A-TL-H 2SC5549,T6F(J 2SC5551AE-TD-E 2SC5551AF-TD-E 2SC555600L 2SC5566-TD-E 2SC5569-TD-E 2SC5585TL 2SC559200L 2SC5606-A 2SC5606-T1-A 2SC563200L 2SC5632G0L 2SC5646A-TL-H