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2SD2679T100

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制造商
ROHM Semiconductor
功能描述
2A / 30V BIPOLAR TRANSISTOR 3MPT3 - Tape and Reel
制造商
ROHM Semiconductor
功能描述
TRANS NPN BIPO 30V 2A MPT3
制造商
ROHM Semiconductor
功能描述
BIPOLAR TRANSISTR 2A 30V

2SD2679T100 技術參數

2SD2675TL 功能描述:TRANS NPN 30V 1A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SD2674TL 功能描述:TRANS NPN 12V 1.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SD2673TL 功能描述:TRANS NPN 30V 3A TSMT 3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SD2672TL 功能描述:TRANS NPN 12V 4A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 40mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:3,000 2SD2671TL 功能描述:TRANS NPN 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:370mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:280MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SD2703TL 2SD2704KT146 2SD2705STP 2SD2707T2LV 2SD300C17A1 2SD300C17A2 2SD300C17A3 2SD300C17A4 2SD315AI 2SD315AI UL 2SD315AI-25 2SD315AI-33 2SD316EI-12 2SD316EI-17 2SD882 2SE156-3 2SE157-3 2SE321