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40F10K

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說明
操作

40F10K
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
Ohmite
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

40F10KE
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
398559
Ohmite
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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功能描述
線繞電阻器 - 透孔 10watt 10K 1% Axial
RoHS
否
制造商
Bourns
電阻
10 Ohms
容差
5 %
功率額定值
7 W
溫度系數
200 PPM / C
系列
FW
端接類型
Axial
工作溫度范圍
- 55 C to + 155 C
尺寸
9.5 mm Dia. x 26 mm L
封裝
Ammo
產品
Power Resistors Wirewound High Energy

40F10K 技術參數

40F100E 功能描述:RES 100 OHM 10W 1% AXIAL 制造商:ohmite 系列:Ohmicone? 40 包裝:散裝零件狀態:有效電阻（歐姆）:100 容差:±1% 功率（W）:10W 成分:繞線特性:- 溫度系數:±20ppm/°C 工作溫度:- 封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向大小/尺寸:0.406" 直徑 x 1.902" 長（10.30mm x 48.30mm）高度:- 端子數:2 標準包裝:25 40F 功能描述:TELECOM FUSE KIT 制造商:eaton 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:1 40EPS12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40EPS08 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40EPF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:450ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40F12R 40F12RE 40F13K 40F13KE 40F150 40F150E 40F15K 40F15KE 40F15R 40F15RE 40F17K 40F17KE 40F180 40F180E 40F1K0 40F1K0E 40F1K1 40F1K1E