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AOT11C60L

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封裝
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說(shuō)明
操作

AOT11C60L
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話(huà)：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-220
25+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條
1

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AOT11C60L PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類(lèi)型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
11A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
400 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
42nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
2000pF @ 100V
功率 - 最大值
278W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝
TO-220
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50

AOT11C60L 技術(shù)參數(shù)

AOT11C60 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:42nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:278W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:440 毫歐 @ 5.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT1100L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Ta），130A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4833pF @ 25V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT10T60PL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:700毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1595pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT10T60P 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1595pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:208W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:700毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT10T60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:700毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1346pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOT12N60_001 AOT12N60FD AOT12N65 AOT12N65_001 AOT13N50 AOT1404L AOT14N50 AOT14N50FD AOT15B60D AOT15B65M1 AOT15S60L AOT15S65L AOT1606L AOT1608L AOT16N50 AOT1N60 AOT20B65M1 AOT20C60

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