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AOTF7T60L

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型號
供應商
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廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AOTF7T60L
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-220F
25+
-
國產品牌，替代進口

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1

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220F
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
管件
零件狀態
停產
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
24nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
962pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
29W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.1 歐姆 @ 3.5A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220F
封裝/外殼
TO-220-3 整包
標準包裝
1,000

AOTF7T60L 技術參數

AOTF7T60 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:962pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:38W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 3.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220F 封裝/外殼:TO-220-3 整包標準包裝:1,000 AOTF7S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:434pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF7S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:372pF @ 100V 功率 - 最大值:34W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF7N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 7A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1175pF @ 25V 功率 - 最大值:38.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF7N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.56 歐姆 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1060pF @ 25V 功率 - 最大值:38.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF9N70 AOTF9N90 AOTS40B65H1 AOU1N60 AOU2N60 AOU2N60_001 AOU2N60A AOU3N50 AOU3N60 AOU3N60_001 AOU4N60 AOU4S60 AOU7S60 AOU7S65 AOV11S60 AOV15S60 AOV20S60 AOW10N60