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APT15GP90KG

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型號
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封裝
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價格
說明
操作

APT15GP90KG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
TO-220K
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

APT15GP90KG
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
APT
模塊
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT15GP90KG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

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1

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功能描述
IGBT 900V 43A 250W TO220
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> IGBT - 單路
系列
POWER MOS 7®
標準包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標準
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT15GP90KG 技術參數

APT15GP90BG 功能描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:43A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:200μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:60nC 25°C 時 Td（開/關）值:9ns/33ns 測試條件:600V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT15GP90BDQ1G 功能描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:43A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:200μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:60nC 25°C 時 Td（開/關）值:9ns/33ns 測試條件:600V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT15GP60KG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:130μJ（開），121μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/29ns 測試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT15GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:130μJ（開），121μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/29ns 測試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT15GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關能量:130μJ（開），120μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/29ns 測試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW APT1608PYW APT1608QBC/D APT1608QBC/G APT1608SECK APT1608SECK/J3-PRV APT1608SECK/J4-PRV APT1608SF4C-PRV