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APT30M70SVRG

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APT30M70SVRG PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
POWER MOS V®
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT30M70SVRG 技術(shù)參數(shù)

APT30M70BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:48A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5870pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30M70BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:48A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5870pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:215nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5890pF @ 25V 功率 - 最大值:355W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30M40JVR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:425nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10200pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30M40JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:425nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10200pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK APT3216MGC APT3216PBC/A APT3216QBC/D APT3216SECK APT3216SECK/J3-PRV APT3216SECK/J4-PRV

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