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APT35GN120L2DQ2G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT35GN120L2DQ2GMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
TO-264
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

APT35GN120L2DQ2G
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
264
MICROSEMI
2014+
-
公司現貨!只做原裝!

APT35GN120L2DQ2G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

APT35GN120L2DQ2G
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
Microsemi Power Products
【★★一級代理商,功率器件專家!全新原裝
2010+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT35GN120L2DQ2G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
355
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APT35GN120L2DQ2G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-264-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT35GN120L2DQ2G
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
25
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現貨庫存F

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APT35GN120L2DQ2G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT35GN120L2DQ2G PDF下載

功能描述
IGBT 1200V 94A 379W TO264
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> IGBT - 單路
系列
-
標準包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標準
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT35GN120L2DQ2G 技術參數

APT35GN120BG 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:94A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 功率 - 最大值:379W 開關能量:2.315mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:220nC 25°C 時 Td（開/關）值:24ns/300ns 測試條件:800V，35A，2.2 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT35GA90BD15 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，18A 功率 - 最大值:290W 開關能量:642μJ（開），382μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:84nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/104ns 測試條件:600V，18A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT35GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，18A 功率 - 最大值:290W 開關能量:642μJ（開），382μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:84nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/104ns 測試條件:600V，18A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT35DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 35A Chassis, Stud Mount 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:1200V 電流 - DC 正向（If）:35A 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT34N80LC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 34A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:145 毫歐 @ 22A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:355nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4510pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6 APT38N60SC6 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG