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APTC60TDUM35PG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTC60TDUM35PG
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
9
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

APTC60TDUM35PG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

APTC60TDUM35PG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
45
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APTC60TDUM35PG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優勢產品

1/1頁 40條/頁共14條
1

您是不是要找： APTC60VDAM24T3G APTC60VDAM45T1G APTC80A10SCTG APTC80A15SCTG APTC80A15T1G APTC80AM75SCG APTC80DA15T1G APTC80DDA15T3G APTC80DDA29T3G

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APTC60TDUM35PG PDF下載

功能描述
MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTC60TDUM35PG 技術參數

APTC60TAM35PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:72A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 72A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTC60TAM24TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:95A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTC60TAM21SCTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:116A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 88A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:580nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13000pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTC60SKM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:72A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 72A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60SKM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:95A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC80DSK15T3G APTC80DSK29T3G APTC80H15T1G APTC80H15T3G APTC80H29SCTG APTC80H29T1G APTC80H29T3G APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G APTC90DDA12T1G APTC90DSK12T1G APTC90H12SCTG