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APTGT300H60G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGT300H60G
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業執照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現貨，

APTGT300H60G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APTGT300H60G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優勢產品

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您是不是要找： APTGT300SK120D3G APTGT300SK120G APTGT300SK170D3G APTGT300SK170G APTGT300SK60D3G APTGT300SK60G APTGT300TL60G APTGT300TL65G APTGT30A170D1G

APTGT300H60G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTGT300H60G PDF下載

功能描述
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGT300H60G 技術參數

APTGT300DU60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 430A 1150W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:430A 功率 - 最大值:1150W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:24nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT300DU170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1700V 400A 1660W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1660W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:750μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:26.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT300DU120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 420A 1380W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:420A 功率 - 最大值:1380W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:21nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT300DH60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 430A 1150W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:430A 功率 - 最大值:1150W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:24nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT300DA60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 430A 1150W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:430A 功率 - 最大值:1150W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:24nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT30A170T1G APTGT30A60T1G APTGT30DA170D1G APTGT30DA170T1G APTGT30DDA60T3G APTGT30DSK60T3G APTGT30H170T3G APTGT30H60T1G APTGT30H60T3G APTGT30SK170D1G APTGT30SK170T1G APTGT30TL601G APTGT30TL60T3G APTGT30X60T3G APTGT35A120D1G APTGT35A120T1G APTGT35DA120D1G APTGT35H120T1G