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APTM100DSK35T3G

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說明
操作

APTM100DSK35T3G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

1/1頁 40條/頁共7條
1

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APTM100DSK35T3G PDF下載

功能描述
MOSFET MOD DUAL BUCK CHOP SP3
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
*

APTM100DSK35T3G 技術(shù)參數(shù)

APTM100DDA35T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:420 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100DAM90G 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:78A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:744nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:20700pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100DA40T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100DA33T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:396 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7868pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100DA18TG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:43A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 21.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:372nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10400pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM100H80FT1G APTM100SK18TG APTM100SK33T1G APTM100SK40T1G APTM100SKM90G APTM100TA35FPG APTM100TA35SCTPG APTM100TDU35PG APTM100U13SG APTM100UM45DAG APTM100UM45FAG APTM100UM60FAG APTM100UM65DAG APTM100UM65SAG APTM100UM65SCAVG APTM10AM02FG APTM10AM05FTG APTM10DAM02G

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