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ATP104-TL-HX

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ATP104-TL-HX PDF下載

功能描述
MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK
制造商
on semiconductor
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
P 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
75A（Ta）
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
76nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
3950pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
8.4 毫歐 @ 38A，10V
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
ATPAK
封裝/外殼
ATPAK（2 引線 + 接片）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

ATP104-TL-HX 技術(shù)參數(shù)

ATP104-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):無(wú)貨 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 38A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3950pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP103-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:55A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2430pF @ 10V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP102-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):無(wú)貨 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1490pF @ 10V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP101-V-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP101-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:875pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP203-TL-H ATP204-TL-H ATP206-TL-H ATP207-S-TL-H ATP207-TL-H ATP208-TL-H ATP212-S-TL-H ATP212-TL-H ATP213-TL-H ATP214-TL-H ATP216-TL-H ATP218-TL-H ATP2PS-CKIT ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H

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