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AON6210

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功能描述
MOSFET N CH 30V 85A DFN5X6
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AON6210 技術參數

AON6206 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta），24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1670pF @ 15V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6204 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta），24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:670pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6202 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 15V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6200L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6162 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4850pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:215W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標準包裝:3,000 AON6242 AON6244 AON6246 AON6248 AON6250 AON6260 AON6262E AON6264E AON6266 AON6266_101 AON6266E AON6268 AON6270 AON6276 AON6278 AON6280 AON6282 AON6284