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B82462G2472M

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封裝
批號
價格
說明
操作

B82462G2472M
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
EPCOS (TDK)
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

B82462G2472M
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
EPCOS
標準封裝
07+
-
全新原裝100%正品保證質量

B82462G2472M000
香港新鵬輝電子有限公司
香港新鵬輝電子有限公司
聯系人：銷售經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區福華路世界貿易廣場C座1106
資質：營業執照
26550
EPCOS
正品封裝
25+
-
正規商現貨供應

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功能描述
固定電感器 SMT-INDUCTOR 6X6(low) 4.7UH
RoHS
否
制造商
AVX
電感
10 uH
容差
20 %
最大直流電流
1 A
最大直流電阻
0.075 Ohms
工作溫度范圍
- 40 C to + 85 C
自諧振頻率
38 MHz
Q 最小值
40
尺寸
4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
屏蔽
Shielded
端接類型
SMD/SMT
封裝 / 箱體
6.6 mm x 4.45 mm

B82462G2472M 技術參數

B82462G2334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 220mA 3.25 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:330μH 容差:±20% 額定電流:220mA 電流 - 飽和值:200mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:3.25 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm）標準包裝:1 B82462G2332M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:2.05A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm）標準包裝:1 B82462G2223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 830mA 245 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:830mA 電流 - 飽和值:830mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:245 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm）標準包裝:1 B82462G2222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 32 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:2.55A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:32 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm）標準包裝:1 B82462G2104M 功能描述:100μH Shielded Wirewound Inductor 410mA 950 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:100μH 容差:±20% 額定電流:410mA 電流 - 飽和值:410mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:950 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.098"（2.50mm）標準包裝:1 B82462G4153M B82462G4154M B82462G4222M B82462G4223M B82462G4224M B82462G4332M B82462G4333M B82462G4334M B82462G4472M B82462G4473M B82462G4474M B82462G4682M B82462G4683M B82462G4684M B82462G4684M000 B82462X0004 B82462X00040000 B82462X004