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BCR 185F E6327

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操作

BCR 185F E6327
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F
資質：營業執照
15831
INFINEON/英飛凌
PG-TSLP-3
22+
-
原廠原裝現貨

BCR 185F E6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
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BCR 185F E6327 PDF下載

功能描述
TRANSISTOR PNP DGTL AF TSFP-3
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
系列
-
標準包裝
10,000
系列
-
晶體管類型
NPN - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
47k
電阻器 - 發射極 (R2)（歐）
47k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
70 @ 5mA，5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
300mV @ 500µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
-
頻率 - 轉換
100MHz
功率 - 最大
250mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商設備封裝
PG-SOT323-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000756242

BCR 185F E6327 技術參數

BCR 183T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BCR 183L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:PG-TSLP-3 標準包裝:15,000 BCR 183F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:PG-TSFP-3 標準包裝:3,000 BCR 183 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:30,000 BCR 179T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BCR 192F E6327 BCR 192L3 E6327 BCR 192T E6327 BCR 196F E6327 BCR 196L3 E6327 BCR 196T E6327 BCR 198F E6327 BCR 198L3 E6327 BCR 198T E6327 BCR 199F E6327 BCR 199L3 E6327 BCR 199T E6327 BCR 22PN H6727 BCR 401R E6327 BCR 402R E6327 BCR 402U E6433 BCR 48PN H6727 BCR 503 B6327