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BDV65C-S

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功能描述
達林頓晶體管 120V 12A NPN
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶體管極性
NPN
集電極—發射極最大電壓 VCEO
50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
集電極—基極電壓 VCBO
最大直流電集電極電流
0.5 A
最大集電極截止電流
功率耗散
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-18
封裝
Reel

BDV65C-S 技術參數

BDV65B-S 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 12A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:3.5W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-218-3 供應商器件封裝:SOT-93 標準包裝:300 BDV65BG 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO247 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:125W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 BDV65B 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:125W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-218-3 供應商器件封裝:SOT-93 標準包裝:30 BDV65A-S 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 12A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:3.5W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-218-3 供應商器件封裝:SOT-93 標準包裝:300 BDV64-S 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 12A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:3.5W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-218-3 供應商器件封裝:SOT-93 標準包裝:300 BDW24ATU BDW24B-S BDW24BTU BDW24C-S BDW24CTU BDW24-S BDW24TU BDW42 BDW42G BDW46 BDW46G BDW47 BDW47G BDW53A-S BDW53B-S BDW53C-S BDW53D-S BDW53-S