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BSB1270003

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSB1270003
香港新鵬輝電子有限公司
香港新鵬輝電子有限公司
聯系人：銷售經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區福華路世界貿易廣場C座1106
資質：營業執照
26550
正品封裝
25+
-
正規商現貨供應

BSB1270003
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
TXC CORPORATION
標準封裝
16+
-
假一罰十，原裝正品

1/1頁 40條/頁共4條
1

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功能描述
212.5MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable
制造商
txc corporation
系列
BS
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
類型
XO（標準）
頻率
212.5MHz
功能
啟用/禁用
輸出
LVPECL
電壓 - 電源
3.3V
頻率穩定度
±100ppm
工作溫度
-5°C ~ 85°C
電流 - 電源（最大值）
-
等級
-
安裝類型
表面貼裝
大小/尺寸
0.276" 長 x 0.197" 寬（7.00mm x 5.00mm）
高度
0.071"（1.80mm）
封裝/外殼
6-SMD，無引線（DFN，LCC）
電流 - 電源（禁用）（最大值）
*
標準包裝
1,000

BSB1270003 技術參數

BSB1270002 功能描述:212.5MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable 制造商:txc corporation 系列:BS 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效類型:XO（標準）頻率:212.5MHz 功能:啟用/禁用輸出:LVPECL 電壓 - 電源:3.3V 頻率穩定度:±100ppm 工作溫度:0°C ~ 70°C 電流 - 電源（最大值）:- 等級:- 安裝類型:表面貼裝大小/尺寸:0.276" 長 x 0.197" 寬（7.00mm x 5.00mm）高度:0.071"（1.80mm）封裝/外殼:6-SMD，無引線（DFN，LCC）電流 - 電源（禁用）（最大值）:* 標準包裝:1,000 BSB104N08NP3GXUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.4 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 40V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSB056N10NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta），83A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSB053N03LP G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），71A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSB044N08NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），90A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 97μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:73nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5700pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），78W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1 BSC011N03LS BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSI BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC014N03LS G BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G BSC014N03MSGATMA1 BSC014N04LS BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSTATMA1