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BSE-020-01-C-D-LC

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制造商
Samtec Inc
功能描述
.8MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY - Bulk

BSE-020-01-C-D-LC 技術參數

BSE-020-01-C-D-A-TR 功能描述:.8MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSE 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售連接器類型:插座，中央帶觸點針腳數:40 間距:0.031"（0.80mm）排數:2 安裝類型:表面貼裝特性:板導軌觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:50μin（1.27μm）接合堆疊高度:5mm，8mm 板上高度:0.128"（3.25mm）標準包裝:125 BSE-020-01-C-D-A 功能描述:.8MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSE 包裝:托盤零件狀態:在售連接器類型:插座，中央帶觸點針腳數:40 間距:0.031"（0.80mm）排數:2 安裝類型:表面貼裝特性:板導軌觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:50μin（1.27μm）接合堆疊高度:5mm，8mm 板上高度:0.128"（3.25mm）標準包裝:1 BSE-020-01-C-D 功能描述:.8MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSE 包裝:托盤零件狀態:在售連接器類型:插座，中央帶觸點針腳數:40 間距:0.031"（0.80mm）排數:2 安裝類型:表面貼裝特性:- 觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:50μin（1.27μm）接合堆疊高度:5mm，8mm 板上高度:0.128"（3.25mm）標準包裝:1 BSD840NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:880mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 880mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BSD840N L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:880mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 880mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A BSE-020-01-L-D-A-FL BSE-020-01-L-D-A-FL-TR BSE-020-01-L-D-A-GP BSE-020-01-L-D-A-TR BSE-020-01-L-D-EM2 BSE-020-01-L-D-EM2-GP BSE-020-01-L-D-FL BSE-020-01-L-D-LC BSE-020-01-L-D-TR BSE-040-01-C-D BSE-040-01-C-D-A BSE-040-01-C-D-A-TR BSE-040-01-F-D