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BSL214NL6327HTSA1

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廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

BSL214NL6327HTSA1
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
6TSOP
22+
-
每一片都來(lái)自原廠，正品保證

BSL214NL6327HTSA1
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
15000
INFINEON
6TSOP
13+
-
全新原裝現(xiàn)貨

BSL214NL6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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BSL214NL6327HTSA1 PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin TSOP T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TSOP-6

BSL214NL6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)

BSL214NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSL211SPT 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:654pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:P-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL211SPL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:654pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL211SPH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:654pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:P-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL211SP 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:654pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:P-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL306NL6327HTSA1 BSL307SP BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPL6327HTSA1 BSL307SPT BSL308CH6327XTSA1 BSL308CL6327HTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEL6327HTSA1 BSL314PEH6327XTSA1 BSL314PEL6327HTSA1 BSL315PL6327HTSA1 BSL316CH6327XTSA1 BSL316CL6327HTSA1 BSL372SNH6327XTSA1 BSL373SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 BSL716SNH6327XTSA1

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