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BSP126,135

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSP126,135
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
40000
NEXPERIA/安世
SOT223
-
授權代理/原廠FAE技術支持

BSP126,135
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BSP126,135
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT223
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BSP126,135
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3555
Philips
ROHS
201320+
-
原裝正品，現貨庫存。400-800-03...

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1

您是不是要找： BSP129E6327 BSP129E6327T BSP129H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1 BSP129L6327HTSA1 BSP129L6906HTSA1 BSP130,115 BSP135 E6327 BSP135 E6906

BSP126,135 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSP126,135 PDF下載

功能描述
MOSFET TAPE13 MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSP126,135 技術參數

BSP126,115 功能描述:MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:375mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 300mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP125L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP125L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP125H6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:* 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:4,000 BSP125H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP135H6327XTSA1 BSP135H6433XTMA1 BSP135H6906XTSA1 BSP135L6327HTSA1 BSP135L6433HTMA1 BSP135L6906HTSA1 BSP14-3K BSP149 E6327 BSP149 E6906 BSP149H6327XTSA1 BSP149H6906XTSA1 BSP149L6327HTSA1 BSP149L6906HTSA1 BSP16T1 BSP16T1G BSP170PE6327 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1