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BSS806NL6327HTSA1

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BSS806NL6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

BSS806NL6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)

BSS806NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.7nC @ 2.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:529pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS806NEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:0.75V @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:529pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS806N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:529pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS79C 功能描述:TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS7728NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX

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