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BUK753R8-80E,127

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BUK753R8-80E,127
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
7500
NXP
原廠原裝
1701+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫(kù)存

BUK753R8-80E,127
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
NEXPERIA/安世
SOT78
-
授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共10條
1

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-220AB Rail
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
BUK753R8-80E/SIL3P/RAILH// - Rail/Tube
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

BUK753R8-80E,127 技術(shù)參數(shù)

BUK753R5-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:114nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8920pF @ 25V 功率 - 最大值:293W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK753R4-30B,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4951pF @ 25V 功率 - 最大值:255W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK753R1-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:79nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:6200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:234W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK753R1-40B,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:94nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6808pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7535-55A,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:872pF @ 25V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7575-55,127 BUK7575-55A,127 BUK758R3-40E,127 BUK7604-40A,118 BUK7605-30A,118 BUK7606-55A,118 BUK7606-55B,118 BUK7606-75B,118 BUK7607-30B,118 BUK7607-55B,118 BUK7608-40B,118 BUK7608-55,118 BUK7608-55A,118 BUK7609-55A,118 BUK7609-75A,118 BUK7610-100B,118 BUK7610-55AL,118 BUK7611-55A,118

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