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BUK762R6-40E,118

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批號
價格
說明
操作

BUK762R6-40E,118
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
NXP Semiconductors
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

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功能描述
MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUK762R6-40E,118 技術參數

BUK762R4-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:158nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11180pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:357W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK762R0-40E,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:109.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:293W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK762R0-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:175nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11323pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:333W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK7628-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1165pF @ 25V 功率 - 最大值:99W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 BUK7628-100A/C,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 25V 功率 - 最大值:166W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 BUK763R6-40C,118 BUK763R8-80E,118 BUK763R9-60E,118 BUK7640-100A,118 BUK764R0-40E,118 BUK764R0-55B,118 BUK764R0-75C,118 BUK764R2-80E,118 BUK764R3-40B,118 BUK764R4-60E,118 BUK765R0-100E,118 BUK765R2-40B,118 BUK765R3-40E,118 BUK7660-100A,118 BUK766R0-60E,118 BUK7675-100A,118 BUK7675-55A,118 BUK768R1-100E,118