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BUK7Y3R0-40EX

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BUK7Y3R0-40EX
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NXP/恩智浦
SOT669
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BUK7Y3R0-40EX
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NXP
SOT669
最新批號
-
代理此型號.原裝特價現貨！

BUK7Y3R0-40EX
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
50
nxp
sot669
14+
-
進口原裝現貨，一定自己庫存

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BUK7Y3R0-40EX PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUK7Y3R0-40EX PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 40V LFPAK
制造商
nxp semiconductors
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
-
功率 - 最大值
-
工作溫度
-
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應商器件封裝
LFPAK，電源-SO8
標準包裝
1,500

BUK7Y3R0-40EX 技術參數

BUK7Y38-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1720pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:95W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:29 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y35-55B,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28.43A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:781pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 BUK7Y2R5-40HX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:79nC @ 10V Vgs（最大值）:+20V， -10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4790pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:190W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 標準包裝:1 BUK7Y2R0-40HX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:90.5nC @ 10V Vgs（最大值）:+20V， -10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5450pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:217W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 標準包裝:1 BUK7Y29-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:26A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:492pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:37W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:29 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y59-60EX BUK7Y65-100EX BUK7Y6R0-60EX BUK7Y72-80EX BUK7Y7R2-60EX BUK7Y7R6-40EX BUK7Y7R8-80EX BUK7Y8R7-60EX BUK7Y98-80EX BUK7Y9R9-80EX BUK9107-40ATC,118 BUK9107-55ATE,118 BUK9207-30B,118 BUK9209-40B,118 BUK9212-55B,118 BUK9213-30A,118 BUK9213-60EJ BUK9214-30A,118