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BUK956R1-100E,127

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BUK956R1-100E,127 PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-220AB Rail
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
BUK956R1-100E/SIL3P/RAILH// - Rail/Tube
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

BUK956R1-100E,127 技術參數

BUK954R8-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9710pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:234W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 BUK954R4-80E,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:123nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:17130pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK954R4-40B,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:64nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7124pF @ 25V 功率 - 最大值:254W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK954R2-55B,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:95nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10220pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK9540-100A,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 39A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:39A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:48nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3072pF @ 25V 功率 - 最大值:158W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUK9607-30B,118 BUK9608-55,118 BUK9608-55A,118 BUK9608-55B,118 BUK9609-40B,118 BUK9609-55A,118 BUK9609-75A,118 BUK9610-100B,118 BUK9610-55A,118 BUK9611-55A,118 BUK9611-80E,118 BUK9612-55B,118 BUK9614-55A,118 BUK9614-60E,118 BUK96150-55A,118 BUK9615-100A,118 BUK9615-100E,118 BUK9616-55A,118