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BUK98150-55,135

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供應(yīng)商
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廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

BUK98150-55,135
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場(chǎng)C棟706
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
32000
NXP
N/A
假一賠十！
-
絕對(duì)原裝現(xiàn)貨！！

BUK98150-55,135
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4635
NXP
N/A
1219+
-
原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

BUK98150-55,135
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯(lián)系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
100000
Philips Semiconducto
N/A
15+
-
原裝正品價(jià)格優(yōu)勢(shì)！

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功能描述
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUK98150-55,135 技術(shù)參數(shù)

BUK969R3-100E,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:94.3nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:11650pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK969R0-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:29.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4350pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:137W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK968R3-40E,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.4 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9675-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:643pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9675-100A/C1J 功能描述:MOSFET N-CH LFPAK 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件狀態(tài):停產(chǎn) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 BUK9875-100A,115 BUK9875-100A/CUX BUK9880-55,135 BUK9880-55/CUF BUK9880-55A,115 BUK9880-55A/CUX BUK9907-40ATC,127 BUK9907-55ATE,127 BUK9C07-65BIT,118 BUK9C1R3-40EJ BUK9C2R2-60EJ BUK9C3R8-80EJ BUK9C5R3-100EJ BUK9D23-40EX BUK9E04-30B,127 BUK9E04-40A,127 BUK9E06-55A,127 BUK9E06-55B,127

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