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BZV55C12 L1G

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功能描述
DIODE ZENER 12V 500MW MINI MELF
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
在售
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
12V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
20 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
100nA @ 9.1V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1V @ 10mA
工作溫度
-65°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商器件封裝
迷你型 MELF
標準包裝
2,500

BZV55C12 L1G 技術參數

BZV55C12 L0G 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZV55C12 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 BZV55C11-TP 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±5% Surface Mount Mini MELF 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:1 BZV55-C11,135 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 標準包裝:10,000 BZV55-C11,115 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 基本零件編號:BZV55C11 標準包裝:1 BZV55C15 L0G BZV55C15 L1G BZV55-C15,115 BZV55-C15,135 BZV55C15-TP BZV55C16 BZV55C16 L0G BZV55C16 L1G BZV55-C16,115 BZV55-C16,135 BZV55C16-TP BZV55C18 L0G BZV55C18 L1G BZV55-C18,115 BZV55-C18,135 BZV55C18-TP BZV55C20 BZV55C20 L0G

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