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CMH322522-10NML

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批號
價格
說明
操作

CMH322522-10NML
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
Bourns Inc.
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

CMH322522-10NML
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
939813
Bourns Inc.
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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1

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CMH322522-10NML PDF下載

功能描述
固定電感器 10nH 20% 100MHz
RoHS
否
制造商
AVX
電感
10 uH
容差
20 %
最大直流電流
1 A
最大直流電阻
0.075 Ohms
工作溫度范圍
- 40 C to + 85 C
自諧振頻率
38 MHz
Q 最小值
40
尺寸
4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
屏蔽
Shielded
端接類型
SMD/SMT
封裝 / 箱體
6.6 mm x 4.45 mm

CMH322522-10NML 技術參數

CMH322522-101KL 功能描述:100μH Shielded Wirewound Inductor 40mA 10 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:bourns inc. 系列:CMH322522 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:100μH 容差:±10% 額定電流:40mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:10 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:20 @ 796kHz 頻率 - 自諧振:9MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:796kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標準包裝:2,000 CMH322522-100KL 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 150mA 2.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:bourns inc. 系列:CMH322522 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±10% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.1 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:28MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標準包裝:2,000 CMH08A(TE12L,Q,M) 功能描述:Diode Standard 400V 2A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 CMH08(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 CMH07(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:980mV @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 CMH322522-1R0KL CMH322522-1R2KL CMH322522-1R5KL CMH322522-1R8KL CMH322522-220KL CMH322522-221KL CMH322522-22NML CMH322522-270KL CMH322522-271KL CMH322522-27NML CMH322522-2R2KL CMH322522-2R7KL CMH322522-330KL CMH322522-331KL CMH322522-33NML CMH322522-390KL CMH322522-39NML CMH322522-3R3KL