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CSD16126

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CSD16126
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
384172
Hoffman Enclosures, Inc.
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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制造商
Pentair Technical Products / Hoffman
功能描述
Junction Box, Wallmount, Steel, Gray, 16x12x6In, NEMA13, Hinged, 1/4 Turn Latch, Concept
制造商
Pentair Technical Products / Hoffman
功能描述
ENCLOSURE, WALL MOUNT, STEEL, GRAY, Enclosure Type
制造商
PENTAIR TECNICAL PRODCUTS
功能描述
ENCLOSURE, WALL MOUNT, STEEL, GRAY, Enclosure Type

CSD16126 技術(shù)參數(shù)

CSD15571Q2 功能描述:MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-SON（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD15380F3T 功能描述:MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1190 毫歐 @ 100mA， 8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.35V @ 2.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.281nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10.5pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD15380F3 功能描述:MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1190 毫歐 @ 100mA， 8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.35V @ 2.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.281nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10.5pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD13385F5T 功能描述:12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.3A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:674pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 900mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD13385F5 功能描述:MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.1A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:674pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 900mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16321Q5 CSD16321Q5C CSD16322Q5 CSD16322Q5C CSD16323Q3 CSD16323Q3C CSD16325Q5 CSD16325Q5C CSD16327Q3 CSD16327Q3T CSD16340Q3 CSD16340Q3T CSD16342Q5A CSD163CEVM-591 CSD16401Q5 CSD16401Q5T CSD16403Q5A CSD16404Q5A

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配單專線：0755-83353220

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