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現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生 13360533550
電話：0755-83289799
地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質：營業執照
29166
22+
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原裝原廠現貨

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北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
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TI
con
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天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
320337
TI
con
24+
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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
320337
TI
con
24+
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優勢庫存，原裝正品

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深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
320337
TI
con
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現貨常備京北通宇商城可查價格

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
320337
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優勢庫存，原裝正品

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功能描述
MOSFET N-CH 100V TO-263-3
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
200A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
5.6 毫歐 @ 90A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
57nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
5060pF @ 50V
功率 - 最大值
250W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝
DDPAK/TO-263-3
標準包裝
1

CSD19532KTTT 技術參數

CSD19532KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5060pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD19531Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.4 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3870pF @ 50V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD19531Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.4 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3870pF @ 50V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD19531KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3870pF @ 50V 功率 - 最大值:214W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19506KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:156nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12200pF @ 40V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19535KTT CSD19535KTTT CSD19536KCS CSD19536KTT CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19537Q3T CSD19538Q2 CSD19538Q2T CSD19538Q3A CSD19538Q3AT CSD2 CSD20030D CSD20060D CSD201610 CSD20166 CSD20168 CSD20168SS