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CSD25480F3T

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價格
說明
操作

CSD25480F3T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD25480F3T
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
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功能描述
-20V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.7A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
110 毫歐 @ 400mA，8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.25V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
0.91nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
155pF @ 10V
功率 - 最大值
500mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
3-XFDFN
供應商器件封裝
3-PICOSTAR
標準包裝
1

CSD25480F3T 技術參數

CSD25404Q3T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:104A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2120pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD25404Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:104A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2120pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），96W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 10A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:1 CSD25402Q3A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 72A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:72A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.9 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1790pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD25401Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.7 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD25310Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 48A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23.9 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:655pF @ 10V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012 CSD36308 CSD36368 CSD41V