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CSD87503Q3ET

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功能描述
30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
零件狀態
在售
FET 類型
2 N 溝道（雙）共源
FET 功能
標準
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
10A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
17.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1020pF @ 15V
功率 - 最大值
15.6W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
8-VSON（3.3x3.3）
標準包裝
1

CSD87503Q3ET 技術參數

CSD87502Q2T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32.4 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:353pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD87501LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-XFBGA 供應商器件封裝:10-Picostar（3.37x1.47）標準包裝:1 CSD87501L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-XFBGA 供應商器件封裝:10-Picostar（3.37x1.47）標準包裝:1 CSD87384MT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 15V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:5-LGA 供應商器件封裝:5-PTAB（5x3.5）標準包裝:1 CSD87384M 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 15V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:5-LGA 供應商器件封裝:5-PTAB（5x3.5）標準包裝:1 CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD95372AQ5M CSD95372BQ5M CSD95372BQ5MC CSD95372BQ5MCT CSD95372BQ5MT CSD95373AQ5M CSD95373BQ5M CSD95373BQ5MT CSD95375Q4M CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M

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