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應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N3904 TO-92 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:全新 | 型號:MMBT3904LT1G | 封裝形式:SOT23

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2N3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2N3904 2N3906 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 截止頻率fT:/ | 結構:點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:/

應用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2N3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 二極管用途:功率管 | 三極管結構:npn | 材質:鍺

類型:其他IC | 品牌:PANJIT/強茂 | 型號:2N3904 | 擊穿電壓VCBO:1 | 封裝形式:TO-92 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1 | 材料:鍺(Ge) | 應用范圍:放大

應用范圍:開關 | 品牌:331 | 型號:SS8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO--92 | 集電極最大耗散功率PCM:0.1 | 集電極最大允許電流ICM:-1.5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:100 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:-40

應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:2N3904 TO-92 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2N3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:625m | 擊穿電壓VCBO:40 | 集電極最大允許電流ICM:200m | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:300 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:放大 | 品牌:CJ(長電) | 型號:2N3904 TO-92 編帶 | 材料:其他 | 封裝形式:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:SEMTECH/先科 | 型號:2N3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO92

應用范圍:功率 | 品牌:長電、KEC、LRC、ON | 型號:2N3904/1AM/ZC | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92/SOT-23 | 擊穿電壓VCBO:60 | 集電極最大允許電流ICM:200MA | 極性:NPN型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是

應用范圍:放大 | 品牌:MICROCHIP/微芯 | 型號:原裝正品直插三極管(TO-92)2N3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:35 | 集電極最大允許電流ICM:0.2 | 截止頻率fT:300

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型，TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:浩暢 | 型號:2N3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:廣半 | 型號:2N3904 TO-92 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型TO-92 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否

應用范圍:振蕩 | 品牌:國產原裝 | 型號:2N3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:2N3904 2N3906 MMBT3904 MMBT3906 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.625 | 集電極最大允許電流ICM:0.2 | 截止頻率fT:300

種類:三極管 | 品牌:長電/ON/JRC/國產正品 | 型號:2SC9452N3904，2N3906，MMBT8050LT1G，MMBT8550LT1G，