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應用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC3058 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3

應用范圍:放大 | 品牌:SPTECH | 型號:2SC3058 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3

應用范圍:功率 | 品牌:FUJI | 型號:2SC3058A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

品牌:CHINA | 型號:2SC3058 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 發貨期限:3 | 極限電壓:600 | 封裝:TO-3

品牌:IR/ST/SEC | 型號:2SC3058 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件

應用范圍:差分 | 品牌:富士通 | 型號:2SC3058 | 材料:其他 | 封裝形式:TO-3

品牌:CHINA | 型號:2SC3058 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 發貨期限:3 | 極限電壓:600 | 封裝:TO-3

應用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:2SC3058 | 材料:硅(Si)

品牌:CHINA | 型號:2SC3058 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 發貨期限:3 | 極限電壓:600 | 封裝:TO-3